2020 年 9 月 16 日，蘋果在秋季第一場新品發(fā)布會上推出了 A14 仿生芯片，在 5nm 工藝節(jié)點上成功搶得先機(jī)。

  接下來，猶抱琵琶半遮面的華為麒麟 9000 系列芯片也將在 10 月 22 日隨 Mate40 系列手機(jī)一起推出，采用的自然也是 5nm 工藝。

  而 12 月 1 日 - 2 日，高通會在 2020 年驍龍技術(shù)峰會上發(fā)布新一代 5nm 旗艦芯片驍龍 875，為安卓終端提供更廣泛的支持。

  這些芯片排隊發(fā)布，意味著半導(dǎo)體工藝 5nm 的時代正在全面到來。

其實，當(dāng)看到 5nm 的蘋果 A14 芯片發(fā)布時，小編心里突然涌上一陣感慨，半導(dǎo)體的制程工藝，從 10nm 到 7nm 再到現(xiàn)在的 5nm，進(jìn)化的幅度越來越小，但每進(jìn)一步，都是整個行業(yè)付出巨大研發(fā)成本的結(jié)果。

相信大家平時刷新聞時已經(jīng)有所了解，芯片的制程工藝越來越小，等于晶體管越做越小，當(dāng)工藝越來越接近極限時，難度就會呈指數(shù)級上升。

仿佛一個學(xué)生，將考分從 60 分提升到 80 分也許不難，但將分?jǐn)?shù)從 95 分提升到 100 分，就很不容易。

最好的例子就是芯片巨頭英特爾在 14nm 節(jié)點長達(dá) 5 年的停滯，一度讓 “摩爾定律已死”的言論甚囂塵上。

  好在另一方面，臺積電和三星在制程技術(shù)上突飛猛進(jìn)，從 10nm 到 7nm 再到今年的 5nm，一路順利推進(jìn)，并超越了英特爾。

盡管后兩者在制程名稱上有玩 “數(shù)字游戲”的成分，但他們對推進(jìn)半導(dǎo)體制程技術(shù)進(jìn)化、延續(xù)摩爾定律所做的貢獻(xiàn)有目共睹。

這些年來，芯片制程工藝能夠不斷微縮，性能可以不斷增強(qiáng)，都有賴于整個半導(dǎo)體行業(yè)以及學(xué)術(shù)領(lǐng)域的勇敢創(chuàng)新和不懈努力。

而當(dāng)節(jié)點進(jìn)一步微縮，5nm 之后的 3nm、2nm、1nm，新的問題又會出現(xiàn)，甚至原來拯救摩爾定律的 3D FinFET 晶體管都將無法應(yīng)對極限微觀世界的要求。

接下來，我們會越來越頻繁地聽到一個新名詞——GAA（環(huán)繞式柵極技術(shù)晶體管）。

什么是 GAA 環(huán)繞式柵極技術(shù)晶體管？這篇文章IT之家就和大家一起了解一下。

1、從 3D FinFET 到 GAA，5nm 之后就靠它了

作為取代 3D FinFET 晶體管的全新技術(shù)，其實 GAA 環(huán)繞式柵極技術(shù)晶體管和 3D FinFET 有著千絲萬縷的聯(lián)系，因此我們需要從 3D FinFET 晶體管說起。

在《臺積電 5 納米吊打英特爾 10 納米？別糾結(jié)了，這只是 “數(shù)字游戲”》一文中，其實IT之家已經(jīng)為大家介紹過 3D FinFET 晶體管，這里再簡單回顧一下。

其實所謂晶體管，用通俗易懂的話來講，就是用半導(dǎo)體材料制作的電流開關(guān)結(jié)構(gòu)。左邊一個源極（半導(dǎo)體），右邊一個漏極（半導(dǎo)體），中間加個柵極（金屬），讓柵極來控制電流從源極到漏極的通斷。

  在過去，柵極和源極、漏極之間接觸的地方是一個平面，形狀差不多是一個矩形，柵極正是依靠這個接觸面來對源極和漏極的電流進(jìn)行控制。

可是，晶體管越做越小，這個接觸面的寬度（其實就是柵極的寬度）也越來越窄，當(dāng)窄到一定程度時（大概是 20nm 左右），柵極對電流的控制力就會大幅減弱。

控制力減弱，就會導(dǎo)致源極的電流穿透柵極，直接和漏極導(dǎo)通，這種情況叫漏電。很顯然，漏電不是個好事情，它會導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇上升。

所以半導(dǎo)體工藝進(jìn)化之路在 20nm 左右曾一度面臨停滯，摩爾定律遭受威脅。

怎么辦呢？其實只要柵極和源極、漏極之間的接觸面積足夠大，就能控制住電流。這個接觸面的寬度不能增加，那就只能增加長度了。

1999 年華人教授胡正明帶領(lǐng)加州大學(xué)伯克利分校的研究團(tuán)隊發(fā)明了 FinFET 晶體管技術(shù)和 UTB-SOI 技術(shù)，解決了上面說的問題。

  其中，F(xiàn)inFET 晶體管技術(shù)是我們聽過最多的。它的解決思路就是改造晶體管的結(jié)構(gòu)，將源極和漏極做成像鰭片一樣直立的樣子，然后讓柵極三面包圍住鰭片，就像下面這樣。

  這樣，等于是讓柵極的寬度不變，通過巧妙地增加長度，來大大增加接觸面積，從提升對電流的控制。

換句話說，原來只有一個接觸面，現(xiàn)在有三個了，哪怕柵極寬度在進(jìn)一步縮小，也不怕。

由于這種鰭片結(jié)構(gòu)是立體的形態(tài)，所以也叫做 3D FinFET。

3D FinFET 技術(shù)的出現(xiàn)解決了晶體管工藝縮小引發(fā)的漏電的問題，讓半導(dǎo)體的制程可以進(jìn)一步推進(jìn)。

隨后，經(jīng)過十多年的產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)，英特爾在 2011 年首先推出了使用 22nm FinFET 工藝的第三代 Core 處理器，這標(biāo)志著摩爾定律的延續(xù)。

胡正明教授也被人們稱為 FinFET 教父，以及 “拯救摩爾定律的男人”。

而 3D FinFET 技術(shù)也伴隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，一路走到今天的 7nm、5nm 時代。

但是，隨著芯片制程的進(jìn)一步微縮，到了 5nm 之后的 3nm、2nm 等等，3D FinFET 也將迎來它的極限，鰭片距離太近、漏電重新出現(xiàn)，物理材料的極限都讓 3D FinFET 晶體管難以為繼。

還有隨著工藝微縮，假如原來一個 FinFET 晶體管上可以放三個鰭片，現(xiàn)在只能放一個，所以就得把鰭片增高?？墒泅捚絹碓礁?，到一定高度后，很難在內(nèi)部應(yīng)力作用下保持直立，F(xiàn)inFET 結(jié)構(gòu)就很難形成了。

  總之就是，5nm 之后，3D FinFET 也不能用了。

這時候，就輪到 GAA 環(huán)繞式柵極技術(shù)晶體管技術(shù)登場了。

GAA 全稱 Gate-All-Around ，是一種環(huán)繞式柵極技術(shù)晶體管，也叫做 GAAFET。它的概念的提出也很早，比利時 IMEC Cor Claeys 博士及其研究團(tuán)隊于 1990 年發(fā)表文章中提出。

其實 GAAFET 相當(dāng)于 3D FinFET 的改良版，這項技術(shù)下的晶體管結(jié)構(gòu)又變了，柵極和漏極不再是鰭片的樣子，而是變成了一根根 “小棍子”，垂直穿過柵極，這樣，柵極就能實現(xiàn)對源極、漏極的四面包裹。

看起來，好像原來源極漏極半導(dǎo)體是鰭片，而現(xiàn)在柵極變成了鰭片。所以 GAAFET 和 3D FinFET 在實現(xiàn)原理和思路上有很多相似的地方。

不管怎么說，從三接觸面到四接觸面，并且還被拆分成好幾個四接觸面，顯然，這次柵極對電流的控制力又進(jìn)一步提高了。

  此外，GAA 的這種設(shè)計也可以解決原來鰭片間距縮小的問題，并且在很大程度上解決柵極間距縮小后帶來問題，例如電容效應(yīng)等。

總之，在 GAAFET 技術(shù)的巧妙幫助下，半導(dǎo)體制程工藝的進(jìn)化之路還將進(jìn)一步往前走，并將成為 5nm 之后大家經(jīng)常聽到的關(guān)鍵詞。

2、三星、英特爾和臺積電，同樣的態(tài)度，不同的進(jìn)展

GAAFET 技術(shù)如此重要，顯然目前芯片代工的三巨頭英特爾、三星和臺積電都在積極備戰(zhàn)，準(zhǔn)備在 5nm 之后的節(jié)點上大干一場。

首先要說明的是，前面我們講到源極到漏極的 “小棍子”，只是舉例，實際上也可以是其他形狀，例如圓柱狀、甚至是板狀的等等。

就這一點，目前行業(yè)里分幾種方案：

納米線，就是采用圓柱或者方形的截面；板片狀，顧名思義，就是源極漏極的半導(dǎo)體設(shè)計成水平的板塊狀，通常會堆疊多個穿透柵極；六角形截面；納米環(huán)技術(shù)，就是穿透柵極的半導(dǎo)體為環(huán)形截面。在三巨頭中，目前最積極高調(diào)的是三星，他們采用的是第二種方案，也就是堆疊的板片狀方案。目前三星也是三巨頭中唯一一家公布自己在 GAA 上詳細(xì)技術(shù)方案的企業(yè)。

三星還給自家 GAA 技術(shù)取了個獨特的名字：Multi-Bridge Channel，簡稱 MBCFET。

  三星表示，他們會在 3nm 這一節(jié)點上使用 MBCFET 技術(shù)。MBCFET 相比納米線技術(shù)擁有更大的柵極接觸面積，從而在性能、功耗控制上會更加出色。

就板片狀的技術(shù)方案來說，三星透露其目前設(shè)計每個晶體管上堆疊 3 條板片，板片厚度為 5nm，板片之間的距離為 10nm，同時柵極長度為 12nm 等。

在具體表現(xiàn)方面，三星還稱第一代的 3nm MBCFET 相比 7nm FinFET 會有 35% 的性能提升，功耗會降低 50%，芯片面積則會縮減 45%，電壓則可以下降到 0.7V。

三星更是信心滿滿地表示，2020 年底，他們的 MBCFET 就可以開始風(fēng)險試產(chǎn)，2021 年有望大規(guī)模量產(chǎn)，同時 2021 年他們還會推出第一代 MBCFET 的優(yōu)化版本。

  值得一提的是，三星在 GAA 上也嘗試了其他技術(shù)方案，不同方案在性能、功率方面的表現(xiàn)也不同，未來可以根據(jù)芯片應(yīng)用場景的差異來匹配對應(yīng)的方案。

相比三星的激進(jìn)，臺積電這邊就相對保守了，目前他們已經(jīng)表示，3nm 節(jié)點上將會繼續(xù)打磨 FinFET 技術(shù)，而不是急于上馬 GAAFET。

主要原因是臺積電切入 GAA 技術(shù)的時間相對晚于三星，同時也為產(chǎn)業(yè)鏈平穩(wěn)過渡考慮。

至于什么時候會使用 GAA 技術(shù)，官方還沒有明確公布。但根據(jù)外界的消息，臺積電會在 2nm 節(jié)點上采用 GAA 技術(shù)。

  臺積電已表示，2nm 研發(fā)生產(chǎn)將落腳新竹寶山，將規(guī)劃建設(shè) 4 個超大型晶圓廠，投入 8000 名工程師，目前已經(jīng)交付研發(fā)，根據(jù)規(guī)劃，2nm 工藝預(yù)計會在 2023 年開始風(fēng)險試產(chǎn)，2024 年量產(chǎn)。

至于英特爾，按照他們的進(jìn)度，2021 年會推出 7nm 工藝，采用的仍然是目前的 SuperFinFET，而到 2023 年，他們會在 5nm 這個節(jié)點上放棄 FinFET 晶體管，轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極晶體管。這個消息來自產(chǎn)業(yè)鏈，并非英特爾官方公布，但此前英特爾曾表示，將在 5nm 工藝重新奪回領(lǐng)導(dǎo)地位，由此來看，他們在 2023 年的 5nm 節(jié)點上推出 GAA 工藝是大概率會發(fā)生的。

  3、半導(dǎo)體行業(yè)還沒有到極限

就像 FinFET 工藝拯救了芯片產(chǎn)業(yè)，在 5nm 之后的時代，GAAFET 也將成為帶領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵。當(dāng)然，在這背后，每前進(jìn)一步，都是行業(yè)付出巨大努力的結(jié)果。

就以 GAA 技術(shù)來說，三星透露其自家 3nm GAA 的研發(fā)成本比 5nm FinFET 更高，有可能超過 5 億美元，巨大的研發(fā)成本首先就是擺在行業(yè)面前的一道坎。

同時 GAAFET 的工藝制造難度也是極高的，具體的細(xì)節(jié)這里就不說了，最難的地方自然是如何讓柵極環(huán)繞源極和漏極的納米線，這里面的工藝極其復(fù)雜，也只有對 FinFET 技術(shù)爐火純青的半導(dǎo)體巨頭才能應(yīng)對這樣的技術(shù)挑戰(zhàn)。

    此外，和 GAA 技術(shù)配套的 EUV 極紫外光刻技術(shù)也需要進(jìn)一步成熟，解決光刻功率不夠以及光子噪音等問題。

但好消息時，因為 GAA 相當(dāng)于傳統(tǒng) FinFET 的 “改良版”，因此生產(chǎn)制造的很多技術(shù)細(xì)節(jié)和步驟是可以共用的，這意味著像三星、臺積電和英特爾這些對 FinFET 技術(shù)非常熟悉的巨頭，在 GAA 技術(shù)過渡時可能會比過去更加順暢，產(chǎn)業(yè)化的時間也可能會更短。

最后，IT之家想說的是，GAA 技術(shù)的推進(jìn)，的確在很大程度上推進(jìn)半導(dǎo)體工藝特別是先進(jìn)制程上的發(fā)展。但隨著制程技術(shù)越來越接近物理極限，想要把芯片繼續(xù)做薄做小，先進(jìn)制程也并不是唯一的道路，材料、封裝等也都可以稱為突破的道路。

前面我們說到的胡正明教授曾經(jīng)說過：

FinFE 證實了這個產(chǎn)業(yè)還有很多可以用我們的智慧來解決的問題，我還真是看不到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)的極限。

這句話放在 GAA 上也適用，或者說，只要這個世界仍然對運算有需求，半導(dǎo)體行業(yè)的人們就會想出智慧的解決方案來拓寬行業(yè)的天花板，用他們的技術(shù)讓這個世界更加美好。