SiPM是一種新型的光電探測(cè)器件，由工作在蓋革模式(Geiger mode)的雪崩二極管陣列所組成。濱松公司稱這種模式為多像素光子計(jì)數(shù)器（Multi-pixel photon counter, MPPC）, 而SENSL公司稱作硅光電倍增管（SiPM）。目前，以SiPM縮寫(xiě)為多數(shù)學(xué)者和科研人員所接受。盡管SiPM是基于APD發(fā)展起來(lái)的新技術(shù)，但是SiPM克服了APD技術(shù)的固有缺陷并且具有更好的磁場(chǎng)兼容性、熱穩(wěn)定性和極高的時(shí)間分辨率能夠?qū)崿F(xiàn)PET的TOF技術(shù)。所以，SiPM完全取代APD已經(jīng)成為業(yè)界共識(shí)。

（1）APD

蓋革和米勒(Geiger-Mueller)于1928年發(fā)明了蓋革計(jì)數(shù)管，并被用于多種輻射探測(cè)。APD是基于GM原理發(fā)展起來(lái)的技術(shù)，在以硅或鍺為材料制成的光電二極管的P-N結(jié)上加上反向偏壓后，射入的光被P-N結(jié)吸收后會(huì)形成光電流。加大反向偏壓會(huì)產(chǎn)生“雪崩”（即光電流成倍地激增）的現(xiàn)象，因此這種二極管被稱為“雪崩光電二極管”。雪崩光電二極管是一種p-n結(jié)型的光檢測(cè)二極管，其中利用了載流子的雪崩倍增效應(yīng)來(lái)放大光電信號(hào)以提高檢測(cè)的靈敏度。其基本結(jié)構(gòu)常常采用容易產(chǎn)生雪崩倍增效應(yīng)的Read二極管結(jié)構(gòu)（即N+PIP+型結(jié)構(gòu)，P+一面接收光），工作時(shí)加較大的反向偏壓，使得其達(dá)到雪崩倍增狀態(tài)；它的光吸收區(qū)與倍增區(qū)基本一致（是存在有高電場(chǎng)的P區(qū)和I區(qū)）^[1，3]。

APD優(yōu)勢(shì)為固態(tài)光電轉(zhuǎn)化器，對(duì)磁場(chǎng)敏感度不高，能夠達(dá)到一定程度的集成化。但是，其缺點(diǎn)是對(duì)熱極其敏感，需要專門的水冷系統(tǒng)，磁場(chǎng)對(duì)其有一定程度的干擾，因而影響其PET成像質(zhì)量。很難實(shí)現(xiàn)高度集成化，使其在體線圈和梯度線圈之間的屏蔽（磁屏蔽和射線屏蔽）效果不盡人意，同時(shí)影響PET和MR設(shè)備性能。不能實(shí)現(xiàn)PET的TOF技術(shù)，無(wú)法在PET/MR系統(tǒng)充分發(fā)揮PET性能，影響PET與MR同步掃描。 

（2）SiPM

SiPM技術(shù)發(fā)明于二十世紀(jì)九十年代末，以從硅（Si）襯底上的雪崩光電二極管（APD）陣列內(nèi)置硅單光子敏感的設(shè)備。每個(gè)硅光電倍增管由大量的（幾百到幾千個(gè)）APD單元組成，每個(gè)單獨(dú)的APD的尺寸可以從20至100微米而變化，并且它們的密度每平方毫米可高達(dá)1000個(gè)以上，每一個(gè)單元由一個(gè)APD和一個(gè)大阻值淬滅電阻串聯(lián)而成，這些微元并聯(lián)成一個(gè)面陣列。為硅光電倍增管加上反向偏壓（一般是幾十伏）后，每個(gè)微元的APD耗盡層有很高的電場(chǎng)，此時(shí)若外界有光子打進(jìn)來(lái)，會(huì)和半導(dǎo)體中的電子空穴對(duì)發(fā)生康普頓散射，打出電子或空穴，高能的電子和空穴隨即在電場(chǎng)中加速，打出大量的次級(jí)電子和空穴，即雪崩。此時(shí)每個(gè)微元電路中電流突然變大，在淬滅電阻上降落的電壓也變大，APD中的電場(chǎng)瞬間變小，即APD輸出一個(gè)瞬時(shí)電流脈沖后雪崩停止，不同微元的淬滅電阻阻值相同，所以理論上講每個(gè)微元會(huì)輸出等大的脈沖。每個(gè)微元都是邏輯單元，有信號(hào)輸出是“1”，沒(méi)有信號(hào)就是“0”。在硅光電倍增管的動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)，它輸出電流的大小就和發(fā)生雪崩的微元數(shù)成正比。

SiPM是將多個(gè)APD以陣列方式通過(guò)高度集成化起來(lái)。與APD相比較，SiPM具有增益和靈敏度高、偏置電壓低、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、受溫度影響小、結(jié)構(gòu)緊湊和能夠?qū)崿F(xiàn)PET的TOF技術(shù)等特點(diǎn)。由于工作的偏置電壓低，所以幾乎不受磁場(chǎng)影響；結(jié)構(gòu)緊湊有利于對(duì)PET探測(cè)器進(jìn)行更有效地屏蔽（磁場(chǎng)和放射線）；將APD以陣列方式高度集成化起來(lái)使其對(duì)熱變化更加穩(wěn)定；具有TOF技術(shù)能夠提高PET圖像質(zhì)量，消除PET圖像的“熱氣管”征象偽影和“正電子穿透效應(yīng)”偽影， 真正實(shí)現(xiàn)PET與MR的同步掃描。

（3）SiPM與APD結(jié)構(gòu)和性能比較

 表1 是SiPM與APD、傳統(tǒng)的光電倍增管性能比較?？梢钥闯鯯iPM具有增益高、工作偏置電壓低、受溫度影響小、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、能夠?qū)崿F(xiàn)高度集成化、能夠?qū)崿F(xiàn)PET的TOF技術(shù)等絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)。如果我們對(duì)表中原始數(shù)據(jù)進(jìn)行分析可以獲得SiPM對(duì)溫度的變化僅僅是0.3%/℃，而APD是1~3%/℃?？梢钥闯鯯iPM對(duì)溫度的穩(wěn)定性是APD的10倍。Spanoudaki 等引用先前的數(shù)據(jù)認(rèn)為SiPM存在對(duì)溫度敏感是一些學(xué)者采用90年代產(chǎn)品測(cè)試的結(jié)果^[4]。Disselhorst等引用的兩篇文章僅僅涉及到APD，并沒(méi)有溫度對(duì)SiPM影響的數(shù)據(jù)^[5，6]?？梢?jiàn)，Spanoudaki 和Disselhorst等報(bào)道的數(shù)據(jù)要么是采用90年代的SiPM測(cè)試結(jié)果，要么是引用了沒(méi)有依據(jù)的文獻(xiàn)。相反，通過(guò)對(duì)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)回顧，可以確認(rèn)的是SiPM對(duì)溫度變化并不敏感，對(duì)溫度具有極好的穩(wěn)定性^[2，7]。本文表1的數(shù)據(jù)來(lái)自2011年更新后的數(shù)據(jù)，其數(shù)據(jù)直接來(lái)自SiPM生產(chǎn)廠家，具有更高的可信程度。隨著半導(dǎo)體技術(shù)、工藝進(jìn)步，SiPM的性能已經(jīng)被大幅度提高。反而可以從采用了APD的PET/MR的文獻(xiàn)（Delso G等報(bào)道）中清晰地看到，PET探測(cè)器采用LSO晶體和APD后，在APD單元配置水冷系統(tǒng)。這也是自2010以來(lái)學(xué)者們認(rèn)為SiPM將完全取代APD的原因。

由于SiPM具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，特別適合于PET的探測(cè)器，SiPM已經(jīng)被用于獨(dú)立的PET、PET/CT設(shè)備和一體化PET/MR設(shè)備中，并且獲得非常滿意的臨床圖像。

（1） 用于獨(dú)立的PET或PET/CT成像

PET/CT的PET探測(cè)器使用SiPM后其PET探測(cè)器的靈敏度、空間分辨率和圖像對(duì)比度大幅度提高，并且可以將給患者的注射劑量大幅度降低或顯著提高掃描速度。采用SiPM的PET探測(cè)器PET/CT已經(jīng)在2013年6月11日獲得FDA批準(zhǔn)進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng)銷售。

（2） 用于一體化帶有TOF技術(shù)同步掃描的PET/MR

采用SiPM光電轉(zhuǎn)換器PET探測(cè)器的一體化帶有TOF技術(shù)的PET/MR于2014年11月24日獲得FDA批準(zhǔn)進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng)銷售。迄今，使用SiPM探測(cè)器具有TOF技術(shù)的一體化PET/MR在全球的銷售量已經(jīng)達(dá)到69臺(tái)。在我們國(guó)內(nèi)安裝用于測(cè)試設(shè)備已經(jīng)獲得非常好的臨床圖像。這些更進(jìn)一步說(shuō)明SiPM具有更好的穩(wěn)定性，APD技術(shù)已經(jīng)被淘汰。

綜上所述?？梢钥闯鯯iPM具有增益和靈敏度高、偏置電壓低、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、受溫度影響小、結(jié)構(gòu)緊湊和能夠?qū)崿F(xiàn)PET的TOF技術(shù)等特點(diǎn)。在一體化PET/MR設(shè)備中，SiPM已經(jīng)成為最佳的選擇。