從廣義來講，MEMS是指集微型傳感器、微型執(zhí)行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的完整微型機電系統(tǒng)。它可以把運動、光、聲、熱、磁等自然界信號轉化為電信號，還可以通過電路系統(tǒng)控制這些信號發(fā)出指令。MEMS很多基本結構都是在厚多晶的基礎上加工的，本文要介紹的硅基電容式傳感器就是其中一種。
在涂膠之前，硅片先放入一個充滿N2的真空腔內，去除硅片表面水汽，然后用表面處理劑(HMDS)對硅片表面進行處理，是硅表面疏離水分子并增加其與光刻膠的結合力。一般在150℃-200℃之間加熱1-2分鐘。HMDS處理原理如下圖所示。顯影采用進口MF320 顯影液對硅片進行顯影，顯影液的主要成分為一種弱堿性的四甲基氫氧化銨，與曝光區(qū)域的光刻膠進行化學反應，溶解于顯影液中，依據試驗確定最佳顯影時間為1 分鐘。 產品需要經過六次光刻及腐蝕，分別是正面聲孔區(qū)、背面腔孔區(qū)、正面二氧化硅、正面多晶硅、正面孔、正面鋁。下面介紹在光刻及刻蝕工藝的改進方面。（1）正面聲孔區(qū)光刻：光刻膠選擇方面，由于本次實驗采用六氟化硫進行刻蝕，而普通的光刻膠抗蝕性差，另一方面，如果有細線條的話對光刻膠的腐蝕速率更大，所以選用耐腐蝕性強且分辨率較高的進口SPＲ6818 型光刻膠；此外，還調整了勻膠機的轉速，優(yōu)化涂膠程序，以滿足顯影精度的要求。
（2）正面聲孔區(qū)腐蝕：由于六氟化硫對硅的腐蝕速率很快，要深槽腐蝕的時候，會出現側蝕太大及扒膠的問題，如下圖：為了解決這一問題，在腐蝕劑中摻入了氦氣，這樣增加了F的活性，也使腐蝕更加均勻，如下圖：（3）背面腔孔區(qū)：要注意對準標記要放在視場的中間位置進行對準曝光，越在中間對準精度越高，否則出現偏差。本次刻蝕可以留出背面腔孔釋放區(qū)域圖形，為以后的腔體釋放做準備。（4）通過光刻腐蝕正面二氧化硅、正面多晶硅、正面孔形成產品結構，如下圖：（5）正面鋁光刻：刻蝕的目的是做出電容極板的電極，該引線槽較深，因此應加大涂膠量。也應加大曝光量，并采取二次曝光。如下圖：闡述了在制造硅基電容式傳感器時改進的工藝流程，解決了MEMS 器件在深溝槽刻蝕過程中光刻膠的耐腐蝕性及深溝顯影等難點。此工藝流程簡單，可以大批量進行MEMS 器件的生產加工，具有良好的應用前景。
