一、線痕

　　分類：線痕按表現(xiàn)形式分為雜質(zhì)線痕、劃傷線痕、密布線痕、錯位線痕、邊緣線痕等。各種線痕產(chǎn)生的原因如下：

　　1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。
　　表現(xiàn)形式：
　?。?）線痕上有可見黑點，即雜質(zhì)點。
　?。?）無可見雜質(zhì)黑點，但相鄰兩硅片線痕成對，即一片中凹入，一片凸起，并處同一位置。
　?。?）以上兩種特征都有。
　?。?）一般情況下，雜質(zhì)線痕比其它線痕有較高的線弓。
　　改善方法：
　　（1）改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測手段。
　　（2）改善切片工藝，采用粗砂、粗線、降低臺速、提高線速等。
　　其它相關(guān)：硅錠雜質(zhì)除會產(chǎn)生雜質(zhì)線痕外，還會導(dǎo)致切片過程中出現(xiàn)"切不動"現(xiàn)象。如未及時發(fā)現(xiàn)處理，可導(dǎo)致斷線而產(chǎn)生更大的損失。

　　2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆粒"卡"在鋼線與硅片之間，無法溢出，造成線痕。
　　表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。
　　改善方法：
　?。?）針對大顆粒SIC（2.5~3D50），加強IQC檢測；使用部門對同一批次SIC先進行試用，然后再進行正常使用。
　?。?）導(dǎo)致砂漿結(jié)塊的原因有：砂漿攪拌時間不夠；SIC水分含量超標(biāo)，砂漿配制前沒有進行烘烤；PEG水分含量超標(biāo)（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游離C（<0.03%）以及<2μm微粉超標(biāo)。
　　其它相關(guān)：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韌性等，各項性能對于切片都有很大的影響。

　　3、密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。
　　表現(xiàn)形式：
　?。?）硅片整面密集線痕。
　?。?）硅片出線口端半片面積密集線痕。
　?。?）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。
　?。?）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。
　?。?）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。

　　改善方法：
　?。?）硅片整面密集線痕，原因為砂漿本身切割能力嚴(yán)
　　重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對性解決。
　?。?）硅片出線口端半片面積密集線痕。原因為砂漿切
　　割能力不夠，回收砂漿易出現(xiàn)此類情況，通過改
　　善回收工藝解決。
　?。?）硅片部分區(qū)域貫穿硅片密集線痕。原因為切片機臺內(nèi)砂漿循環(huán)系統(tǒng)問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時用美工刀將噴嘴內(nèi)贓物劃向兩邊。
　?。?）部分不規(guī)則區(qū)域密集線痕。原因為多晶硅錠硬度不均勻，部分區(qū)域硬度過高。改善鑄錠工藝解決此問題。
　?。?）硅塊頭部區(qū)域密布線痕。切片機內(nèi)引流桿問題。

　　4、錯位線痕：由于切片機液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產(chǎn)生的線痕。
　　改善方法：規(guī)范粘膠操作，加強切片前檢查工作，定期清洗機床。

　　5、邊緣線痕：由于硅塊倒角處余膠未清理干凈而導(dǎo)致的線痕。
　　表現(xiàn)形式：一般出現(xiàn)在靠近粘膠面一側(cè)的倒角處，貫穿整片硅片。
　　改善方法：規(guī)范粘膠操作，加強檢查和監(jiān)督。

　　二、TTV（Total Thickness Variety）
　　TTV不良，都是由于各種問題導(dǎo)致線網(wǎng)抖動而產(chǎn)生的硅片不良，包括設(shè)備精度問題、工作臺問題、導(dǎo)輪問題、導(dǎo)向條粘膠問題等。

　　1、設(shè)備精度：
　　導(dǎo)輪徑向跳動<40μm，軸向跳動<20μm。
　　改善方法：校準(zhǔn)設(shè)備。

　　2、工作臺問題：
　　工作臺的不穩(wěn)定性會導(dǎo)致大量TTV不良的產(chǎn)生。
　　改善方法：維修工作臺。

　　3、導(dǎo)輪問題：
　　因?qū)л唵栴}而產(chǎn)生的TTV不良，一般出現(xiàn)在新導(dǎo)輪和導(dǎo)輪磨損很大的時候。
　　改善方法：更換導(dǎo)輪。

　　4、導(dǎo)向條粘膠問題：
　　當(dāng)導(dǎo)向條下的膠水涂抹不均勻，出現(xiàn)部分空隙，在空隙位置的硅片，易出現(xiàn)TTV不良問題。
　　改善方法：規(guī)范粘膠操作。

　　三、臺階
　　臺階的出現(xiàn)，是由切片過程中的鋼線跳線引起，而導(dǎo)致鋼線跳線的原因，包括設(shè)備、工藝、物料等各方面的問題，部分如下：

　　1、砂漿問題：
　　砂漿內(nèi)含雜質(zhì)過多，沒有經(jīng)過充分過濾，造成鋼線跳線。
　　改善方法：規(guī)范砂漿配制、更換，延長切片的熱機時間和次數(shù)。

　　2、硅塊雜質(zhì)問題：
　　硅塊的大顆粒雜質(zhì)會引起跳線而產(chǎn)生臺階。
　　改善方法：改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測手段。

　　3、單晶停機、切起工藝問題：
　　單晶相對多晶硬度較大，在異常停機并重新切起的過程中，采用違規(guī)操作產(chǎn)生的鋼線跳線。
　　改善方法：嚴(yán)格遵循工藝操作。

　　4、線、砂工藝匹配問題：
　　鋼線、砂漿型號不匹配造成切片跳線，此種情況很少出現(xiàn)。